兼具 DRAM、NAND 優勢！新記憶體「UltraRAM」已準備投入量產

結合 DRAM、NAND 優點的新型記憶體「UltraRAM」已經大幅推進其商業化進程。綜合外媒報導，UltraRAM 的開發公司 Quinas Technology 過去一年持續與先進晶圓產品製造商 IQE 合作，致力將 UltraRAM 記憶體的製程推進到工業化規模。

外媒 Blocks & Files、Tom’s Hardware 報導指出，這項合作已經成功，而 UltraRAM 被視為結合 DRAM 與 NAND 優點的新型記憶體，具備 DRAM 般的高速運作、耐用度比 NAND 高 4,000 倍、低於 1 飛焦耳的超低切換能耗，及資料保存能力長達千年，如今正邁向量產。

報導指出，該設計之所以大幅進展，主要是因為採用銻化鎵（gallium antimonide）與銻化鋁（Aluminium antimonide）的磊晶技術獲得突破，而且為全球首創，將幫助 UltraRAM 真正進入量產。

據悉，UltraRAM 相當仰賴磊晶技術，後續才會經過曝光與蝕刻等半導體製程，來構建記憶體晶片結構。

IQE 執行長 Jutta Meier 指出，「我們已經成功達成目標，為 UltraRAM 開發出可擴展的磊晶製程，這是邁向封裝晶片工業化生產的重要里程碑。這個專案代表了一個獨特機會，將下一代複合半導體材料在英國實現」。

Quinas 執行長兼共同創辦人 James Ashforth-Pook 也表示，這次合作的成果是從大學研究邁向商業記憶體產品之旅的轉折點。據悉，在接下來的商業化路徑中，Quinas 與 IQE 計畫與各大晶圓廠與合作夥伴探討試產的可能性。

• UltraRAM scaled for volume production — memory that promises DRAM-like speeds, 4,000x the durability of NAND, and data retention for up to a thousand years, is now ready for manufacturing
• ULTRARAM edges toward industrial scale with IQE backing

（首圖來源：Quinas Technology）

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(责任编辑：李茂山)