Tom′s Hardware 報導,中國記憶體廠商長鑫存儲(CXMT)為了提高品質,不得不將其 DDR5 記憶體的量產延後至 2025 年末。不過,有消息指出,該公司 DDR5 晶片的品質目前似乎已與台廠南亞科相當,在良率與品質的提升,加上長鑫存儲不斷擴大的產能的情況下,不僅讓規模較小的台系廠商,甚至全球廠商都受到威脅。
報導指出,長鑫儲存於 2024 年年底就開始生產其 DDR5 記憶體,情況也引發了業界的擔憂,擔心這家中國 DRAM 製造商計劃用廉價的 DDR5 記憶體傾銷市場。後來,有消息指出,長鑫儲存使用過時的製程技術來製造其 16 GB DDR5 設備。因此,其晶片尺寸比三星生產的 16 GB DDR5 晶片大 40%。這也代表著與三星的 DDR5 記憶體相較,長鑫存儲的 DDR5 記憶體製造成本要高得多,這使得向市場大量傾銷此類產品變得困難,且無利可圖。
另外,成本並非長鑫儲存 DDR5 記憶體唯一被挖掘出來的問題。事實上,在 2025 年初對長鑫存儲的 DDR5 記憶體樣品的早期測試中,就已經發現其在 60°C 左右的常見封裝溫度下就存在穩定性問題,並且在零度以下溫度也存在相同的問題。這些問題導致採用長鑫存儲 DDR5 記憶體的模組無法滿足可靠性標準。因此,長鑫存儲不得不對其 DDR5 記憶體設計進行修改,甚至藉由花費不貲的新光罩來進一步解決問題。
因此,長鑫存儲這次延遲了 DDR5 記憶體的量產時間。市場先前預計,最初量產時間將在 2025 年 5 月或 6 月左右開始。但到 7 月仍未看到量產情況下,事後證明儘管散熱技術有所進步,但長鑫存儲的生產線良率仍然相對較低,徘徊在 50% 左右,這對於商品 DRAM 來說是不可接受的。所以,長鑫儲存需要進一步改進並累積營運經驗,才能達到與產業平均競爭的良率,這使得量產時間進一步延遲。
此外,近期市場對對長鑫存儲的 DDR5 模組的測試顯示,其品質和性能顯著提升,目前已接近台系廠商南亞科技的水平。如果這些產品得到領先 PC 製造商或模組產品的驗證,則表明長鑫存儲正在縮小與老牌 DRAM 供應商的差距。不過,由於良率問題,這些產品尚未能達成輛廠的目標,這使得長鑫存儲很難在 DDR5 市場上被視為重要的參與者。
而儘管長鑫存儲已提高其 DDR5 記憶體的品質,並有望提高生產良率,但該公司仍面臨重大挑戰。因為根據 TechInsights 的的資料顯示,長鑫存儲的 G4 製造技術的特徵尺寸約為 16 奈米,與三星在 2021 年初推出的第三代 10 奈米等級節點相對應。在此情況下,長鑫存儲的 16 GB DDR5 製造成本高於其他公司的同類晶片,在市場上競爭的難度頗高。
(首圖來源:合肥長鑫)
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