美撤台積南京廠設備豁免 外媒：影響沒韓商嚴重

台積電宣布美國已撤銷該公司向中國南京廠運送重要設備的許可，消息傳來衝擊美國半導體設備類股走跌。

路透社、Tom’s Hardware等外電報導，台積電透過聲明表示，「驗證後最終用途」（VEU）的快速通關出口許可將於2025年12月31日正式撤銷，意味著未來運送至南京廠的美國半導體設備都須向華盛頓當局申請出口執照。

台積電指出，該公司正在評估最新發展並跟美國政府溝通，承諾會「確保台積電南京廠的運作不受干擾」。

台積電目前在中國擁有兩座晶圓代工廠，分別是上海的8吋晶圓廠「Fab 10」以及南京的12吋晶圓廠「Fab 16」。其中，8吋晶圓廠是以150奈米或更舊的成熟製程代工晶片，不受美國出口限制。

相較之下，12吋晶圓廠能製造汽車晶片、5G射頻元件、消費性系統單晶片（SoC）等，是以台積電12奈米與16奈米FinFET製程，還有28奈米等級製程打造。雖然16奈米以下的邏輯技術早在10年前就推出，但目前仍被美國政府列入出口管制範圍。

台積電2024年的淨營收為900.8億美元，其中11%來自中國客戶、相當於99.1億美元左右。難以估算Fab 16創造多少營收。

台積電ADR 2日聞訊終場下跌1.07%、收228.39美元，創8月21日以來收盤新低。美國晶圓檢測設備製造商科磊（KLA Corporation）、半導體設備大廠應用材料（Applied Materials Inc.）、半導體蝕刻機台製造商科林研發公司（Lam Research Corp.）同步下挫2.94%、1.98%、3.12%。

美國商務部上週五（8月29日）才剛決定撤銷三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）在中國生產晶片時可使用美國設備的授權，預計120天後生效。商務部工業安全局（BIS）僅計劃允許三星、SK海力士採購維持中國現有廠房運作的美國設備與技術，用來擴產或升級中國廠房的設備執照申請不會獲得許可。

三星在西安廠生產的NAND型快閃記憶體占其總產量的35~40%，而SK海力士則有約40%的DRAM產自無錫廠、20%的NAND型快閃記憶體產自大連廠。

Tom’s Hardware分析，跟三星、SK海力士相比，台積電Fab 16的營收占比遠低於10%、影響相對有限。換句話說，若Fab 16營運被迫暫停或產量大幅縮減，對台積電的影響將遠低於三星及SK海力士。台積電維持南京廠運作的方式之一，是以中國生產的類似設備替換掉進口自美國的機台，但不清楚這是否可行，尤其是跟微影（lithography）有關的技術。

目前無法估算企業申請的出口執照多快才能獲得批准，這可能會拖慢設備的交貨時程。路透社8月曾報導，包括半導體設備在內，有數以千計的出口執照申請遭到延宕，案件堆積如山。

美國2022年對出口至中國的半導體設備進行全面管制，但當時給予台積電、三星、SK海力士及英特爾（Intel Corp.）豁免權。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）

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