傳中國長江、長鑫聯手，加速中國本土 HBM 產能布局

市場消息傳出，長江存儲（YMTC）正準備跨入 DRAM 製造領域，並計劃與長鑫存儲（CXMT）合作，鎖定高頻寬記憶體（HBM）市場，符合中國政府想降低對三星、SK 海力士、美光依賴。

美國工業與安全局（BIS）在去年 12 月的規範中，特別將 HBM 列入管制清單，同時擴大對晶片製造設備的限制，收緊中國取得這些關鍵技術的機會。

在技術進展上，長鑫存儲先前已完成 HBM2 開發，加速 HBM3 量產，並於 2024 年開始大規模投資設施。多間中媒與研究單位預期，其 HBM3 與 HBM3E 將在 2026-2027 年間量產。分析師認為，雖然長鑫存儲仍落韓國業者數年，但已展現出更快的追趕節奏。

據外媒 Tom’s Hardware 指出，長江存儲在這次潛在合作中，價值不在於 DRAM 經驗，而是鍵合（bonding）技術。據中媒過去報導，長江存儲使用「Xtacking」技術應用於 3D NAND，能有效提升數據處理速度。

隨著 HBM 堆疊高度增加，整體正朝向混合鍵合（Hybrid Bonding）技術遷移，以提升頻寬與散熱效能。同時，中國也在建構 HBM 封裝供應鏈，據路透社報導，長鑫存儲與武漢新芯正在研發 HBM 封裝技術，而通富微電也切入封裝領域。

美國持續收緊對中國晶圓廠的管制，台積電南京廠也失去快速審批資格，再度凸顯出口許可門檻日益嚴格且流程冗長。目前，長江存儲與長鑫存儲的合作能否順利落地，仍取決於設備取得與客戶驗證的進展。

• YMTC and CXMT team up to accelerate Chinese domestic HBM production — partnership brings hybrid bonding and DRAM expertise together

（首圖來源：shutterstock）

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(责任编辑：邓斐)